<cite id="zxpdn"><span id="zxpdn"></span></cite>
<strike id="zxpdn"></strike>
<span id="zxpdn"><video id="zxpdn"><ruby id="zxpdn"></ruby></video></span>
<strike id="zxpdn"><dl id="zxpdn"><del id="zxpdn"></del></dl></strike>
<strike id="zxpdn"></strike>
<strike id="zxpdn"></strike>
<strike id="zxpdn"></strike>
<strike id="zxpdn"><i id="zxpdn"></i></strike><strike id="zxpdn"><dl id="zxpdn"></dl></strike>
<span id="zxpdn"><dl id="zxpdn"><strike id="zxpdn"></strike></dl></span><span id="zxpdn"><i id="zxpdn"></i></span>
技術支持???Support
最新資訊???New
暫無信息。
聯系我們???Contact
你的位置:首頁 > 技術支持 > 技術支持

詳解MOS管發熱的可能性原因

2012-5-23 14:47:07??????點擊:

詳解MOS管發熱的可能性原因

做電源設計,或者做驅動方面的電路,難免要用到場效應管,也就是人們常說的MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅動的使用,當然就是用它的開關作用。

無論N型或者PMOS管,其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中, MOS管的開關速度應該比三極管快。

我們經???span>MOS管的PDF參數,MOS管制造商采用RDSON)參數來定義導通阻抗,對開關應用來說,RDSON) 也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDSON) 與柵極 (或驅動) 電壓 VGS 以及流經開關的電流有關,但對于充分的柵極驅動,RDSON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外,慢慢升高的結溫也會導致RDSON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數,其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

1.發熱情況有:電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

2,頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了

3,沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。

4,MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。

其實這些問題也是老生常談的問題,做開關電源或者MOS管開關驅動這些知識應該是爛熟于心,當然有時還有其他方面的因素,主要就是以上幾種原因。

亚洲手机看片av
<cite id="zxpdn"><span id="zxpdn"></span></cite>
<strike id="zxpdn"></strike>
<span id="zxpdn"><video id="zxpdn"><ruby id="zxpdn"></ruby></video></span>
<strike id="zxpdn"><dl id="zxpdn"><del id="zxpdn"></del></dl></strike>
<strike id="zxpdn"></strike>
<strike id="zxpdn"></strike>
<strike id="zxpdn"></strike>
<strike id="zxpdn"><i id="zxpdn"></i></strike><strike id="zxpdn"><dl id="zxpdn"></dl></strike>
<span id="zxpdn"><dl id="zxpdn"><strike id="zxpdn"></strike></dl></span><span id="zxpdn"><i id="zxpdn"></i></span>